2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19a-D9-1~13] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:30 D9 (D315)

10:15 〜 10:30

[19a-D9-6] 犠牲酸化を用いたSi(100)表面平坦化プロセスのデバイス特性への影響に関する検討

工藤聡也,大見俊一郎,韓大熙,NithiAtthi (東工大)

キーワード:表面平坦化プロセス,シリコン,デバイス特性