2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[19p-D6-1~18] 6.4 薄膜新材料

2014年3月19日(水) 13:45 〜 18:30 D6 (D209)

14:15 〜 14:30

▼ [19p-D6-3] Improvement of Electrical Properties of InGaZnO Thin-Film Transistors by Fluorinated Silicon Nitride Passivation

○（D）jingxinJiang1,TatsuyaToda1,MamoruFuruta1 (Kochi Univ. of Tech.1)

キーワード：Thin-film transistor