[15a-1E-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[15a-1E-1] ZnSe-Cu(In,Ga)Se₂薄膜のソーラー水素製造への応用

〇(M2)兼古 寛之¹、嶺岸 耕¹、堂免 一成¹ (1.東大院工)

キーワード：薄膜、CIGS、光電極

Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS)は、光カソードとして疑似太陽光照射下30 mA/cm² at 0 V_RHEという大きな水素生成光電流を示すことが報告されたが、光応答開始電位の低さが原因で高効率なソーラー水素製造システムの構築には至っていない。光応答開始電位は価電子帯上端（VBM）準位に強く影響される。そこで本研究では、より深いVBMを有するZnSeとの固溶体薄膜を作製し光応答開始電位向上を狙った。発表ではZnSe-CIGS薄膜のキャラクタライゼーションと光電気化学特性について議論する。