2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年3月11日(水) 14:00 〜 17:15 A21 (6A-213)

16:30 〜 16:45

[11p-A21-10] 段差付き基板上に成長したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的特性

〇(DC)樹神 真太郎1、Asubar Joel1、徳田 博邦1、中澤 敏志2、石田 昌宏2、上田 哲三2、葛原 正明1 (1.福井大院工, 2.パナソニック（株）AIS社　技術本部)

キーワード：AlGaN/GaN