11:30 〜 11:45 [14a-A26-10] 希釈ガスとしてH2を用いたプラズマCVD法によるDLC膜特性へのSiおよびN添加効果 〇中村 和樹1、大橋 遼1、横山 大2、田島 圭一郎2、遠藤 則史2、末光 眞希2、遠田 義晴1、中澤 日出樹1 (1.弘前大院理工、2.東北大通研)