2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

印刷

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月20日(日) 13:30 〜 15:30 P9 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-6] InAlN/GaNヘテロ構造のInAlNバリア層における成長速度依存性

〇浦山 雄也1、渡邉 新1、江川 孝志1 (1.名古屋工業大学大学院)

キーワード：半導体、InAlN、GaN