[5p-PB8-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5p-PB8-1] 4H-SiC (11`20) a面の表面再結合速度

〇加藤 正史¹、小濱 公洋¹、Zhang Xinchi¹、市村 正也¹、木本 恒暢² (1.名工大、2.京大)

キーワード：表面再結合、a面、キャリアライフタイム

我々はこれまでに4H-SiCのSi面とC面における表面再結合速度Sを評価してきた。しかしながら、デバイス構造によってはSi・C面以外の結晶面が表面として露出される場合があり、デバイスの最適設計にはそれら結晶面のSを知る必要がある。そこで本研究では4H-SiC (11`20) a面におけるSの評価を行い、室温から250℃までの値を得たのでそれを報告する。