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△ [6a-C24-9] AFM/KFM/SCFMによるパワー半導体デバイスの断面構造観察
キーワード：走査型容量原子間力顕微鏡、パワー半導体デバイス、SiC-power MOSFET
パワー半導体デバイスは，ワイドバンドギャップ半導体材料による高耐圧化のほか，微細加工による多並列化，大規模化，複合化へと進展している．我々は，良好な空間分解能と高感度化を達成した走査型プローブ顕微鏡の複合化（表面形状/表面電位/微分容量)により，パワー半導体デバイスのナノスケール観測に成功した．