[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [6p-A201-15] 電圧制御陽極酸化法により作製したポーラスSiCの構造評価

〇黒川 広朗¹、岩佐 佳実¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大、2.名大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：半導体、ポーラスSiC

NとBがドープされた蛍光SiCを原料として作製されたポーラスSiCは、青色付近での高効率発光が可能で、バルク蛍光SiCと組み合わせることで演色性の高い光源の実現が期待される。しかし、ポーラスSiCの微細構造の再現性が低いため、発光スペクトルの制御性に課題があった。本研究では化学反応が陽極電位に依存するとの推定に基づき、陽極酸化法における印加電圧とポーラスの関係について検討を行い、構造の印加電圧依存性を見出した。