[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-11] MOVPE法による高Al組成AlGaN膜の表面モフォロジー及び結晶性へのVIII比の影響

〇境 周一¹、近藤 祐也¹、小林 貴弘¹、水上 裕太¹、内田 和男¹、野崎 眞次¹ (1.電通大情報理工)

キーワード：III族窒化物半導体、MOVPE、UVC-LED