[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-19] 表面再構成制御法を用いたSi(111)基板上へのIn_0.2Ga_0.8Sbエピタキシャル成長

〇五十嵐 廉¹、森 雅之¹、前澤 宏一¹ (1.富大工)

キーワード：半導体

InGaSbは高いキャリア移動度を有するため、p-MOSFETやCMOS等への応用が期待される素材である。Si(111)基板上にInGaSbを直接成長させると大きな格子不整合が存在するため、単結晶成長するが結晶性の悪いものとなってしまう。我々は過去の研究でSi(111)基板上へのGaSbの成長において、Si(111)-Ga(√3×√3)表面再構成上に0.35nm/minの低レート成長を行う事で高品質な単結晶GaSb薄膜の作製に成功している。また、InSbの単分子層を介してSi(111)基板上にInSbを成長させる事でSi(111)面内でInSbが30°回転する事が分かっている。そこでInGaSbでも同様に、Si(111)基板上にInとGaが混在した表面再構成構造を作製しInSb単分子層とGaSb単分子層の混在した面内に低レート成長させる事で高品質なInGaSb薄膜を作製出来ると考えた。