[18p-234B-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18p-234B-18] Influence of lattice relaxation anisotropy on relaxation processes of GaAsSb/GaAs(001)

〇(M2)Masaya Yuuki¹, Syouta Nogawa¹, Arai Masakazu¹, Yoshio Ohshita², Takuo Sasaki³, Masamitsu Takahasi³, Hidetoshi Suzuki¹ (1.Miyazaki Univ., 2.Toyota inst., 3.Quantum inst.)

Keywords:lattice relaxation anisotropy

多接合型太陽電池の格子不整合材料の積層によって発生する転位を低減させるために各層での歪み緩和を理解することが重要となる。III-V族化合物半導体は歪み緩和過程に異方性が生じ最終的な結晶性に影響を与えることが見出されている。そこで本研究ではIII-V-V’型であるGaAsSbに着目した。本報告では、GaAsSb/GaAs(001)の格子緩和過程をその場三次元X線逆格子マッピング(3D-RSM)で評価し、構成元素の違いが歪み緩和過程に与える影響を明らかにすることを目的とした。