[18p-234B-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18p-234B-17] Layer Thickness Dependence of Mid-Infrared Luminescence Properties in InAs /GaAsSb Superlattice Grown by MOVPE

〇Kouji Maeda¹, Ryosuke Wakaki¹, Yuya Yamagata¹, Masakazu Arai¹ (1.Univ. of Miyazaki)

Keywords:type II superlattice, Mid-Infrared Luminescence, MOVPE

MOVPE法により中赤外発光素子を目的として、系統的にInAs /GaSb 超格子構造を作製し、層厚の違いによる発光特性の変化を調査した。XRDにより、回折ピーク位置は、InAs層の膜厚を変化させた際にはあまり変化しないが、GaSb層の膜厚を変化させた際には大きく変化した。これは、残留ガスの影響の可能性もある。測定できた5µｍ以下の波長で20Kで発光が得られた。