2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月17日(土) 13:15 〜 18:30 E202 (57-202)

岩谷 素顕(名城大)、本田 善央(名大)、齋藤 義樹(TSオプト)

17:45 〜 18:00

[17p-E202-17] サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル

秩父 重英1、梅原 直己2、小島 一信1、原 和彦2,3 (1.東北大多元研、2.静大創造科学院、3.静大電子研)

キーワード:窒化ボロン、カソードルミネッセンス

グラファイト状2次元ハニカム構造が積層された結晶構造をとる六方晶(h-)BNの禁制帯幅は約6 eVであり、間接遷移型半導体でありながら室温でバンド端発光を呈すため、AlN同様に深紫外線波長領域の発光素子用材料として期待できる。静大の梅原・原らは、BCl3とNH3を用いた減圧化学気相堆積法によりサファイアc面上に、エピタキシャル関係を保ったh-BN薄膜を成長させ、成長温度・圧力と薄膜の構造的・光学的な品質の関係を報告してきた。本講演では、それら薄膜の発光特性について報告する。