[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-3] ミラー電子顕微鏡による4H-SiCエピウェハーの転位観察

〇一色 俊之¹、佐藤 高広^1,2、長谷川 正樹²、大平 健太郎²、小林 健二²、宮木 充史²、小貫 勝則² (1.京都工繊大、2.日立ハイテク)

キーワード：SiC、結晶欠陥、ミラー電子顕微鏡

ミラー電子顕微鏡は試料の局所電位変化に敏感で，ウェハー表面近傍の転位や積層欠陥を高速で検出できる。4H-SiC エピ層内の転位は基底面転位-貫通刃状転位相互の変換や積層欠陥を挟んだ部分転位への拡張を起こす。エピウェハー表面近傍での転位変換を観察した事例を示し，μエッチピット-SEM 法での評価と合わせて報告する。また，貫通転位対配列の底部をFIB-STEM で観察し，貫通刃状転位が基底面転位ループに拡張している様子も示す。