[19p-C204-1~17] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[19p-C204-4] プラズマと熱サイクルを用いたタングステンの原子層レベルエッチング

〇篠田 和典¹、花岡 裕子²、三好 信哉¹、小林 浩之¹、川村 剛平²、伊澤 勝²、石川 健治³、堀 勝³ (1.日立研開、2.日立ハイテク、3.名大)

キーワード：プラズマ、エッチング、タングステン

Wの原子層レベルエッチング(ALE)を検討した。低温でのCF系プラズマ照射により、W表面にフッ化タングステンからなる反応層が生成し、加熱により反応層が消失することを、X線光電子分光法により確認した。また、プラズマ照射とランプ加熱を繰り返したところ、サイクル数に比例してWがエッチングされる一方、TiNおよびSiO₂はエッチングされなかった。また、Wエッチング量はプラズマ照射時間に対して飽和性を示し、WのALEを実証した。