[19p-E202-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～格子欠陥はどこまで制御できるのか：先端評価と機能探索～

[19p-E202-2] 狭帯域・波長超安定Eu添加GaN赤色発光ダイオードの新展開 ～特異構造制御とフォトン場制御～

〇藤原 康文¹、稲葉 智宏¹、朱 婉新¹、舘林 潤¹ (1.大阪大院工)

キーワード：希土類添加半導体、ユウロピウム、発光ダイオード

本講演では、社会実装が間近になった狭帯域・波長超安定Eu添加GaN赤色LEDの更なる高輝度化に向けた取り組みを紹介する。母体励起によるEuイオンへの効率的なエネルギー輸送には、Eu発光中心の特異構造が大きく関係し、Euイオンの近傍にドナやアクセプタとなる不純物や結晶欠陥をそれぞれ配置することが有効である。一方、表面プラズモンやマイクロ共振器を用いてフォトン場を制御することにより、更なる高輝度化が可能である。