2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[18p-PA5-1~22] 6.4 薄膜新材料

2019年9月18日(水) 16:00 〜 18:00 PA5 (第一体育館)

16:00 〜 18:00

[18p-PA5-10] HMTAによるc軸配向ZnOナノロッドの成長過程に関する研究

陳 飛1、福住 達郎1、沖村 邦雄1 (1.東海大院工)

キーワード:薄膜、ナノロッド、酸化亜鉛

酸化亜鉛(ZnO)は多様な光,電子,磁気機能を有する材料として注目を集めている.さまざまな形状の酸化亜鉛の合成が報告されているが,細い棒状のZnOナノロッド(ZnO_NR)は大きな表面積/体積比を有するため,色素増感型太陽電池の作用電極への応用が特に期待されている.ZnOナノロッドの成長形態の制御のために,ヘキサメチレンテトラミン(HMTA)を原料とする合成法が研究されてきた.本研究では,HMTAによるZnO_NRの成長過程を調べるために,CBD法 (Chemical Bath Deposition)の成膜時間変化について調べ,NRの形状および成長様式の検討を行った.