2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[21a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

2019年9月21日(土) 09:00 〜 12:30 C309 (C309)

藤沢 浩訓(兵庫県立大)、清水 荘雄(東工大)

12:00 〜 12:15

[21a-C309-12] 光電流作用スペクトルで見たシフト電流の欠陥耐性

〇(M2)畑田 大輝1、中村 優男2,3、金子 良夫2、五月女 真人2、小川 直毅2,3、十倉 好紀1,2、川﨑 雅司1,2 (1.東大院工、2.理研 CEMS、3.JST さきがけ)

キーワード:シフト電流、光起電力効果、強誘電体

空間反転対称性の破れた物質は光起電力効果を示す。近年、この現象の起源がシフト電流と呼ばれる欠陥・不純物に強いトポロジカル光電流にあることが理論的に明らかになってきた。我々は強誘電半導体SbSIを対象物質として、異なる暗伝導度の試料間の電流電圧特性の比較と、ゼロ電場と電場印加下での光電流作用スペクトルの測定と比較を行い、シフト電流の欠陥や表面再結合に対する堅牢性を実験的に明確に捉えることに成功した。