[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-E301-7] シリコン縦型パワーデバイスへのひずみ導入によるオン抵抗低減の研究

〇井上 毅哉¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東京工業大学)

キーワード：シリコン縦型パワーデバイス