[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-7] Mgイオン注入ドーズ量によるGaN-DIMOSFETのMOSチャネル特性制御

〇田中 亮¹、高島 信也¹、上野 勝典¹、松山 秀昭¹、江戸 雅晴¹、中川 清和² (1.富士電機、2.山梨大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、MOSFET

n-GaNエピにMgをイオン注入して形成したGaN-DIMOSFETのMOSチャネル特性の、Mgドーズ量依存性について報告する。Mg注入エネルギーは700keVとし、ドーズ量を4.2x10¹³～4.2x10¹⁴ cm^-2の範囲で変えたところ、ドーズ量の増加に伴ってしきい値は増加し、移動度は低下した。よって、Mg注入ドーズ量によってMOSチャネル特性を制御可能であることが示された。