[8a-Z09-1~10] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[8a-Z09-5] シリコンナノピラーの間隔変化による熱特性への影響

〇原田 知季¹、安良田 裕基¹、大堀 大介^2,3、寒川 誠二³、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工、2.台湾交通大工、3.東北大流体研)

キーワード：シリコンナノピラー, 熱電変換, 圧電素子光熱変換分光法

廃熱を回収し有効利用する技術として安価なSi系材料による熱電変換が注目されている。無次元性能指数の向上のため、ナノ構造により熱伝導率を減少させる試みがある。我々は中性粒子ビームエッチングによりSiナノピラー(NP)をSiGeで埋め込んだ複合膜を作製した。本研究では、NP間隔40と60nmの2試料を用意し、圧電素子光熱変換法を適用することでNP間隔による熱特性変化を議論した。