井上直久

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発表者・著者、共著者

2021年9月10日(金) 13:30 〜 16:00 N203 (口頭)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[10p-N203-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

15:15 〜 15:30

[10p-N203-7] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(6) CO, NN, NO ringの赤外吸収

〇井上直久¹、川又修一¹、奥田修一¹ (1.大阪府大研究推進)

15:30 〜 15:45

[10p-N203-8] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(19)窒素複合体の過去現在未来

〇井上直久¹、川又修一¹、奥田修一¹ (1.大阪府大研究推進)

15:45 〜 16:00

[10p-N203-9] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(23)赤外吸収法のinstrumental detection limitとspectral detection limit

〇井上直久¹、奥田修一¹、川又修一¹ (1.大阪府大研究推進)