[11a-N305-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-N305-8] PLおよびXPSによるGaN表面へのプロセスダメージ評価

〇米村 卓巳¹、斎藤 吉広¹ (1.住友電工)

キーワード：窒化ガリウム、フォトルミネッセンス、光電子分光

GaNデバイス製造で用いられるアッシングプロセスは、半導体表面に欠陥や組成ずれなどのダメージをもたらし、デバイス特性バラつきや信頼性低下に繋がる。しかし、これらダメージは半導体の極表面に存在する非常に僅かな変化であるため、検出が容易ではない。本研究ではGaN表面のダメージ発生メカニズムの解明を目指し、フォトルミネッセンスと光電子分光を組み合わせた評価技術の開発を行ったので報告する。