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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16p-Z33-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年3月16日(火) 13:30 〜 17:15 Z33 (Z33)

太田裕道(北大)

13:45 〜 14:00

[16p-Z33-2] Ca₂RuO₄薄膜における電流誘起抵抗転移のRu欠損量依存性

〇福地厚¹、椿啓司¹、石田典輝¹、片瀬貴義²、神谷利夫²、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報、2.東工大フロ研)

キーワード：金属絶縁体転移、Ca2RuO4、モットメモリ