[18p-Z04-1~9] 特異構造の結晶科学　～学術とエレクトロニクス展開～

[18p-Z04-9] 窒化物半導体中の転位のデバイス特性への影響

〇本田 善央¹、田中 敦之¹、川崎 晟也²、渡邉 浩崇¹、天野 浩^1,3,4 (1.名大未来研、2.名大院工、3.名大ARC、4.名大VBL)

キーワード：窒化物半導体、転位・欠陥、pnダイオード

窒化物半導体中の転位伝搬メカニズムに関して、成長界面や基底面転位の移動とデバイスへの影響は未だ不明である。パワーデバイス中の転位は、多光子顕微鏡、エミッション顕微鏡、TEM評価を組み合わせることで、螺旋転位とナノパイプがキラー欠陥として働くことを明らかにした。さらにC濃度の面内揺らぎがデバイス特性に大きな影響を与えることが分かっており、結晶成長における更なる高精度化が要求されている。