[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-6] GaN基板上n⁺pp⁺ GaNダイオードIV特性より評価したSRH寿命のp-GaNパラメータ依存性

〇徳田 豊¹、成田 哲生²、冨田 一義^2,3、加地 徹³ (1.愛知工大、2.豊田中央研究所、3.名古屋大学)

キーワード：寿命

GaN基板上MOVPE成長n⁺pp⁺接合を用いたDLTS測定より、p-GaNの0.88 eVおよび0.29 eV正孔トラップは各々窒素位置炭素(C_N)のアクセプタ、ドナー準位であることを報告した。今回、IV測定を行い、p-GaNのSRH (Shockley-Read-Hall)寿命の評価を行った。p-GaNのMg濃度は3x10¹⁶~2x10¹⁸ cm^-3である。活性化熱処理温度は850 °Cで、熱処理時間5分と300分のものを用いた。n=2の順方向特性の領域からSRH寿命の評価を行った。その結果、SRH寿命は~300 psであり、Mg濃度依存性は見られず、また熱処理時間にも影響されないことがわかった。