13:30 〜 15:30 [16p-PA04-4] ウェット酸化を利用した二重イオン注入4H-SiC MOSFETの製作プロセスに関する研究 〇佐藤 勇介1,2、渡辺 聡2、櫻庭 政夫1,2、佐藤 茂雄1,2 (1.東北大工、2.東北大通研)