[15p-A301-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A301-12] 多枚数近接昇華（MCSS）法によりエピタキシャル成長した4H-SiCの特性

〇長澤 弘幸¹、成田 克²、千葉 哲也³ (1.株式会社CUSIC、2.山形大工、3.ドライケミカルズ)

キーワード：SiC、エピタキシャル成長、バルク成長

SiCウエハの大口径化と製造コスト低減を目的とし、多枚数近接昇華(MCSS)法によるバルクSiC単結晶成長を試みた。温度勾配の無い1750℃以上の大気圧Ar雰囲気中で、多結晶SiC原料基板(Source)から単結晶SiC(Seed)表面へのPhysical Vapor Transport(PVT)と単結晶のエピタキシャル成長が実現した。本発表では、MCSS法で成長した4H-SiCの諸特性を報告する。