[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-12] GaNリサイクル基板上に作製した縦型PNDと横型MOSFETの電気特性評価

〇石田 崇¹、牛島 隆志¹、中林 正助¹、加藤 孝三¹、小山 貴之¹、長里 喜隆¹、大原 淳士¹、星 真一¹、長屋 正武¹、原 一都¹、金村 高司¹、鶴田 和弘¹、小島 淳^1,2、上杉 勉²、田中 敦之²、笹岡 千秋²、恩田 正一^1,2、須田 淳²、原 佳祐³、河口 大祐³、久野 耕司³、筬島 哲也³ (1.ミライズテクノロジーズ、2.名古屋大学、3.浜松ホトニクス)

キーワード：GaN基板、リサイクル、パワーデバイス

縦型GaNパワーデバイスの普及のためには、基板コストを低減する必要がある。基板は従来、デバイス作製後に研削研磨で大部分を除去される。しかし、高価なGaN基板の使い捨てはGaNデバイスのコストアップ要因となる。そこで我々は、デバイス作製後にレーザースライスによりGaN基板表面のデバイス部分を剥離し、下地基板のリサイクルを試みた。今回、リサイクル基板上に作製したデバイスが動作することを確認できたので報告する。