[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-11] マイクロ波整流用AlGaN/GaNワイドリセス構造ゲーテッドアノードダイオードの高耐圧化に向けた中濃度コンタクト層の活用

〇渡邉 智也¹、高橋 英匡¹、安藤 裕二^1,2、分島 彰男³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

キーワード：窒化ガリウム、整流デバイス、高電子移動度トランジスタ

マイクロ波無線電力伝送用受電整流デバイスとして、ノーマリーオフAlGaN/GaN HEMTを用いたゲーテッドアノードダイオードの開発を進めている。従来のHEMTではコンタクト抵抗の低減のためにコンタクト層を高ドープにしているが、我々はコンタクト層のドーピング濃度を意図的に下げることで耐圧を向上させる検討を行った。中濃度コンタクト層がデバイスの寄生抵抗、耐圧、電流コラプスに及ぼす効果を総合的に評価した。