[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-4] 表面にAl導入したGaN-MOSFETの特性

〇上野 勝典¹、近藤 剣¹、田中 亮¹、高島 信也¹、江戸 雅晴¹、諏訪 智之² (1.富士電機（株）、2.東北大NICHe)

キーワード：GaN、MOSFET、チャネル移動度

GaN系パワーデバイスの実用化のためにはMOSFETの移動度向上が強く望まれており、MOSチャネル制御は重要な要素技術である。AlNをGaN上に形成後熱処理した表面にMOSFETを作成すると移動度が向上することを過去に報告したが、今回形成温度をかえて特性変化を調べたところ、温度が高いほど表面Al濃度が高く、また移動度も上昇することがわかった。