11:35 〜 11:50
[2D09] SiC表面に生成したSiO2酸化被膜の高温生成挙動
キーワード:炭化ケイ素、二酸化ケイ素、高温酸化挙動
事故時条件においてSiC表面に生成するSiO₂酸化皮膜の健全性を調べる目的で、SiC試料を温度:1100,1300,1500℃、保持時間:25,50,100h、雰囲気:大気の条件で酸化試験を行った。その結果、SiO₂皮膜のひび割れや多層構造を確認し、SiO₂が生成しても条件によっては、酸化反応が停止しないことが分かった。
一般セッション
V. 核燃料サイクルと材料 » 501-2 核燃料とその照射挙動
2018年9月6日(木) 10:35 〜 12:00 D会場 (A棟 A32)
座長:坂本 寛(NFD)
11:35 〜 11:50
キーワード:炭化ケイ素、二酸化ケイ素、高温酸化挙動