[2K10-12] Advanced Technologies for Operational Management, Inspection and Maintenance of Reactor 1

[2K10] Development of rad-hard SiC amplifier for signal transmission over 10 MHz

*Shinji Nomoto¹, Masahiro Masunaga¹, Ryo Kuwana¹, Katsuhiko Hirano², Katsunori Ueno¹, Takahiro Nagai², Ippei Ishizuka², Kazuya Shimizu² (1. Hitachi, 2. HGNE)

Keywords:rad-hard, Silicon carbide, amplifier, signal transmission, gamma-ray

原子力発電所において，複数種類のセンサを用いたリアルタイム計測が望まれている。リアルタイム計測はセンサの種類により数MHz以上の信号伝送を伴うため，これに適用できる耐放射線アンプの開発が求められる。そこで報告者らはSiC-IC技術を用いて，10 MHz以上の信号を伝送できる耐放射線SiCアンプを開発した。SiCアンプは10 MHz以上の帯域を確保するため，移動度の高いn形MOSのみで構成した。また，伝送ケーブルのインピーダンス(50 Ω)を考慮し，出力インピーダンスを調整した。試作したアンプは50 Ω終端の測定系にて出力波形を評価した。20 MHzにおける出力波形(0.2 Vpp/矩形波)は1 MGyまで誤差11 mV以内で重なり，10 MHz以上の信号を伝送できる見込みを得た。今後，実際のケーブルを用いて伝送試験する予定である。