[3H01-06] 照射挙動

[3H04] タングステン－10%レニウム合金における重水素滞留挙動に及ぼす照射温度影響

*大矢 恭久¹、平田 詩織¹、猪爪 菜央¹、吉田 直亮²、檜木 達也³、藪内 聖皓³ (1. 静岡大、2. 九州大、3. 京都大)

キーワード：タングステンーレニウム合金、水素同位体挙動、照射欠陥、照射温度依存性

プラズマ対向材料であるタングステンは、中性子照射によりレニウムに核変換することにより核融合炉運転中にはタングステン-レニウム合金が形成される。そのため本研究では、タングステン－10%レニウム合金における重水素滞留挙動について照射温度をパラメータとして理解することとした。京都大学DuET装置により室温〜1173Kの温度範囲で1 dpaまで6 MeV鉄イオンを照射し照射欠陥を導入した。その後、1 keV重水素イオン照射し、重水素滞留・放出挙動をTDSにて明らかにした。その結果、室温照射では450K以外に600Kおよび850Kに重水素放出が見られたが、573K以上の照射試料では高温での重水素放出が見られなかった。このことから高温照射では生成した照射欠陥がダイナミックに回復し照射欠陥への重水素の捕捉が減少したことが示された。