[3N08-13] 核データ測定3

[3N09] GeV領域の陽子入射によるSiの核種生成断面積測定

*杉原 健太¹、明午 伸一郎¹、岩元 大樹¹、中野 敬太¹、前川 藤夫¹ (1. JAEA)

キーワード：核変換システム、核種生成断面積、シリコン、陽子、放射化法

大強度陽子ビームの応用例の一つとして加速器駆動核変換システム(ADS)が挙げられる。ADSにおいて入射陽子ビーム窓構造材に含まれる不純物の1つにシリコン(Si)があり、窓の取扱いにはSiの核種生成断面積が必要となる。また、ADSのような大強度ビーム加速器におけるビーム診断機器の信頼性確認や、この機器のソフトエラー評価のためにも、Siの核反応断面積の計算モデルの比較検討には、核種生成断面積が必要となる。そこで、J-PARCにおいて、数GeV陽子入射による核種生成断面積の測定を行った。陽子を照射したシリコンを冷却後、HPGe検出器でガンマ線スペクトル測定し、得られたスペクトルを時間の関数としてフィッティングすることで陽子入射核種生成断面積を得た。我々の実測値と、過去の実測値、PHITS、JENDL/HE-2007を用いた計算結果との比較を本発表で紹介する。