Fri. Oct 4, 2019 1:00 PM - 2:15 PMAnnex Hall 2 (Kyoto International Conference Center)
Schedule
3
1:45 PM - 2:00 PM
[Fr-3B-04] Nanoscale insights on the origin of the Power MOSFETs breakdown after extremely long high temperature reverse bias stress
*Patrick Fiorenza1, Mario S. Alessandrino2, Beatrice Carbone2, Clarice Di Martino2, Alfio Russo2, Mario Saggio2, Carlo Venuto2, Edoardo Zanetti2, Corrado Bongiorno1, Filippo Giannazzo1, Fabrizio Roccaforte1(1. Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Catania(Italy), 2. STMicroelectronics, Catania(Italy))