スケジュール 3 11:30 〜 11:45 [19A3-02] AlNセラミック放熱基板とSi半導体基板の常温直接接合 〇松前 貴司1、倉島 優一1、高木 秀樹1、西薗 和則2、天野 力2、日暮 栄治1 (1. 産業技術総合研究所、2. 株式会社MARUWA) 抄録パスワード認証パスワードは参加登録いただいた方に、事前にメール配信しております。 パスワード 認証