[P] P54~P58

[P56] Fabrication of Mn-doped InN Films Deposited by Glancing-angle Reactive Evaporation

*Daisuke HOSHI¹, Ryouhei OOZEKI¹, Yasushi INOUE¹, Osamu TAKAI² (1. Chiba Inst.Technol., 2. Kanto Gakuin Univ.)

Keywords:反応性蒸着法、斜入射堆積法、吸着誘起型エレクトロクロミック、バンド構造、Moss-Bursteinシフト

InNにMnを添加することによる吸着誘起型エレクトロクロミック特性への影響を調査した．ITOコートガラス基板に窒素ラジカル照射環境下でInとMnを同時に蒸着した結果，作製したInMnN膜で吸収端のシフトが確認できた．