[G] Analysis/Characterization/Evaluation

[43] 2D evaluation of the potential difference in an InP device by Shadow Image Distortion method

*Katsuhiro SASAKI¹, Hirokazu Sasaki² (1. UACJ Corporation, 2. Furukawa Electric Co. Ltd)

Keywords:半導体、内部電位、レーザーデバイス

影像歪法を用いて、透過電子顕微鏡(TEM)中でInPレーザーデバイス断面のp-n接合界面形状の二次元分布の観察を試み、界面電場の二次元投影ベクトルを捉えられることを示した。