[G] 分析・解析・評価

[43] 影像歪法によるInPデバイス内界面電界二次元分布評価の試み

*佐々木 勝寛¹、佐々木 宏和² (1. 株式会社UACJ、2. 古河電気工業株式会社)

キーワード：半導体、内部電位、レーザーデバイス

影像歪法を用いて、透過電子顕微鏡(TEM)中でInPレーザーデバイス断面のp-n接合界面形状の二次元分布の観察を試み、界面電場の二次元投影ベクトルを捉えられることを示した。