[G] 半導体・誘電体材料

[234] 逆抵抗変化型Cr₂Ge₂Te₆相変化材料の局所構造変化

*畑山 祥吾¹、イ シュアン¹、フォンス ポール^2,3、齊藤 雄太²、コロボフ アレキサンダー^2,4、小林 啓介⁵、進藤 怜史¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹ (1. 東北大学、2. AIST、3. JASRI、4. ゲルツェン大、5. 高知大学)

キーワード：相変化メモリ、アモルファス、Cr-Ge-Te、局所構造

新規相変化材料Cr₂Ge₂Te₆(CrGT)は逆抵抗変化を示し、デバイスは高速なメモリ動作を示すことが知られているものの、その機構は明らかとなっていないため、本研究では局所構造の観点からCrGTの相変化機構を調査した。