[G] Semiconducting / Dielectric Materials

[235] Fast crystalline polymorphic change mechanism in MnTe films

*MORI SHUNSUKE¹, ANDO DAISUKE², SUTOU YUJI² (1. Tohoku Univ. Eng. (graduate student), 2. Tohoku Univ. Eng.)

Keywords:MnTe、結晶多形変化、薄膜、半導体

MnTe薄膜は、結晶/結晶相変化により低動作エネルギーかつ高速なメモリ動作を実現できる。本研究では、実際に動作させたメモリデバイスについて、MnTeの多形変化メカニズムを明らかにすることを試みた。