[G] 半導体・誘電体材料

[235] MnTe薄膜の高速結晶多形変化メカニズム

*森 竣祐¹、安藤 大輔²、須藤 祐司² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大工)

キーワード：MnTe、結晶多形変化、薄膜、半導体

MnTe薄膜は、結晶/結晶相変化により低動作エネルギーかつ高速なメモリ動作を実現できる。本研究では、実際に動作させたメモリデバイスについて、MnTeの多形変化メカニズムを明らかにすることを試みた。