[G] 熱電材料

[385] 遷移金属添加Si-Ge合金におけるゼーベック係数の第一原理計算

*山田 亮¹、真砂 啓¹、福島 鉄也²、新屋 ひかり³、Tien　Quang Nguyen¹、佐藤 和則¹ (1. 大阪大学、2. 東大物性研、3. 東北大通研)

キーワード：Si-Ge合金、遷移金属ドーピング、ゼーベック係数

本研究ではSi-Ge合金に遷移金属を添加した場合にどのように電子状態密度が変化するかをバンド計算から明らかにし、計算した電子状態密度からゼーベック係数を導くことでSi-Ge合金に最適な遷移金属を調べた。