13:45 〜 14:05
[S2.3] Si-Cr溶液中4H-SiC(000-1)における界面再構成
キーワード:SiC、溶液成長、界面制御、ステップ
Si合金溶媒を用いた高温溶液成長法による4H-SiC結晶育成におけるステップバンチングの制御へ向け、ステップの動的挙動を調査する界面再構成手法を用い、Si-Cr系溶液中ステップバンチング挙動の調査を行った。
抄録パスワード認証
抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。