[S2] ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング 2

[S2.5] [基調講演] オペランドX線トポグラフィー法を用いた動作中SiC MOSFET内における積層欠陥拡張の観察

*島 明生¹、小西 くみこ¹、藤田 隆誠¹、小林 慶亮¹、米山 明男¹、毛利 友紀¹ (1. (株)日立製作所　研究開発グループ)

キーワード：SiC、MOSFET、基底面転位、積層欠陥、オペランド、X線トポグラフィー

SiC MOSFET 内蔵PNダイオード動作中の、SiC基底面転位(BPD)の積層欠陥(SF)への拡張メカニズムの解明に向け、積層欠陥の拡張を動的に直接観察する手法としてオペランドX線トポグラフィ法を開発した。