[P] P23~P30

[P28] 斜入射反応性スパッタリング法によるYドープInN薄膜の作製

小西 拓海¹、*及川 大地¹、井上 泰志²、高井 治³ (1. 千葉工大工（学生）、2. 千葉工大工、3. 関東学院大材料表面研)

キーワード：斜入射堆積法、窒化インジウム、イットリウムドープ、吸着誘起型エレクトロクロミック

InNにYを添加することでバンドギャップを縮小させ，EC波長域を長波長側へシフトさせることが可能か調査した．Y添加によりInN結晶性が低下し，酸素不純物が増加したため光吸収端は短波長側へシフトした．