[P] P24~P27

[P26] ドロップチューブプロセスを用いたGaSb単結晶微粒子生成に対するCu, Zn添加効果とFe, Ni系シリサイド半導体の結晶成長

*松井 涼¹、永山 勝久² (1. 芝浦工大工（院生）、2. 芝浦工大)

キーワード：ドロップチューブプロセス、単結晶形成能、結晶成長、3d遷移金属

本研究は融液からのCuまたはZnを添加したGaSb３元微粒子の生成、表面形態と微細構造及び単結晶形成能について解析した。また、Fe，Ni系シリサイド半導体微粒子の生成と結晶成長について解析することも目的とした。