[S4] S4.New Materials Science On Nanoscale Structures and Functions of Crystal Defect Cores, III(1)

[S4.2] The bandgap widened SnS semiconductors caused by alloying with A.E. elements.

*Fumio KAWAMURA¹, Yelim SONG¹, Hidenobu MURATA², Hitoshi TAMPO³, Takehiko NAGAI³, Takashi KOIDA³, Masataka IMURA¹, Naoomi YAMADA⁴, Hitoshi YUSA¹ (1. National Institute for Materials Science, 2. Osaka metropolitan univ., 3. National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 4. Chubu univ.)

Keywords:硫化スズ、太陽電池、バンドギャップ、第一原理計算、スパッタリング

SnSのカチオンサイトをアルカリ土類金属と置換することでA.E.混晶化SnSを合成し、バンドギャップの拡大が可能であるか否か検討した